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介損測(cè)試儀知識(shí)

2012-12-19 [1426]

 介損測(cè)試儀知識(shí)

 
 
知識(shí)一:  介損測(cè)試儀 產(chǎn)品特性:
 
  ◆使用方便、無需換算
 
  ◆操作簡(jiǎn)單、中文顯示、打印
 
  ◆介損測(cè)試儀自帶高壓,抗*力強(qiáng)、測(cè)試時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)
 
  有關(guān) 介損測(cè)試儀 知識(shí)二:介損測(cè)試儀別稱:
 
   介損測(cè)試儀 、抗干擾介損測(cè)試儀、全自動(dòng)介損測(cè)試儀、異頻介損測(cè)試儀、異頻介質(zhì)損耗測(cè)試儀、抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀、全自動(dòng)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介損測(cè)試儀簡(jiǎn)介
 
    介損測(cè)試儀  的技術(shù)發(fā)展很快,以前在電力系統(tǒng)廣泛使用的QS1西林電橋正被智能型的介損測(cè)試儀取代,新一代的介損測(cè)試儀均內(nèi)置升壓設(shè)備和標(biāo)準(zhǔn)電容,并且具有操作簡(jiǎn)單、數(shù)據(jù)準(zhǔn)確、試驗(yàn)結(jié)果讀取方便等特征。雖然目前介損測(cè)試技術(shù)發(fā)展很快,但與水平相比,在很多方面仍有很大差距,差距主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
 
  (1)抗*力
 
  由于介質(zhì)損耗測(cè)試是一個(gè)靈敏度很高的項(xiàng)目,因此測(cè)試數(shù)據(jù)也極易受到外界電場(chǎng)的干擾,目前介損測(cè)試儀采取的抗干擾方法主要有:倒相法、移相法、異頻法等。雖然這些方法能在一定程度下解決干擾的問題,但當(dāng)外界干擾很強(qiáng)的情況下,仍會(huì)產(chǎn)生較大的偏差。
 
 。2)反接法的測(cè)試精度問題
 
  現(xiàn)場(chǎng)很多電力設(shè)備均已接地,因此必須使用反接法進(jìn)行檢測(cè),但反接時(shí),影響測(cè)試數(shù)據(jù)的因素較多,往往數(shù)據(jù)會(huì)有很大偏差,特別是當(dāng)被試品容量較。ㄈ缣坠埽,高壓導(dǎo)線拖地測(cè)試時(shí)(有些介損測(cè)試儀所配高壓導(dǎo)線雖能拖地使用,但對(duì)地泄漏電流較大),會(huì)嚴(yán)重影響測(cè)試的準(zhǔn)確度。
 
  有關(guān)  介損測(cè)試儀 知識(shí)三:介損測(cè)試儀特征:
 
  1、儀器采用中文菜單操作,微機(jī)自動(dòng)完成全過程的測(cè)量。
 
  2、由于采用了變頻技術(shù)能保證在強(qiáng)電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。
 
  3、該儀器同樣適用于車間、試驗(yàn)室、科研單位測(cè)量高壓電器設(shè)備的tgδ及電容量;對(duì)絕緣油的損耗測(cè)試、更具有方便、簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確等優(yōu)點(diǎn)。母線加工機(jī)
 
  4、儀器內(nèi)部裝備了高壓升壓變壓器,并采取了過零合閘、防雷擊等安全保護(hù)措施。試驗(yàn)過程中輸出0.5KV~10kV不同等級(jí)的高壓,操作簡(jiǎn)單、安全。
 
  5、該儀器可用正、反接線方法測(cè)量不接地或直接地的高壓電器設(shè)備。同時(shí)可以測(cè)量電容式電壓互感器的tgδ及主電容C1、C2電容量。
 
  啟動(dòng)測(cè)量后高壓設(shè)定值送到變頻電源,變頻電源用PID算法將輸出緩速調(diào)整到設(shè)定值,測(cè)量電路將實(shí)測(cè)高壓送到變頻電源,微調(diào)低壓,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確高壓輸出。
 
    根據(jù)正/反接線設(shè)置,測(cè)量電路根據(jù)試驗(yàn)電流自動(dòng)選擇輸入并切換量程,測(cè)量電路采用傅立葉變換濾掉干擾,分離出信號(hào)基波,對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電流和試品電流進(jìn)行矢量運(yùn)算,幅值計(jì)算電容量,角差計(jì)算tgδ。反復(fù)進(jìn)行多次測(cè)量,經(jīng)過排序選擇一個(gè)中間結(jié)果。測(cè)量結(jié)束,測(cè)量電路發(fā)出降壓指令變頻電源緩速降壓到0。
 
  可見介損測(cè)試儀是一種*的測(cè)量介質(zhì)損耗和電容容量的儀器,適用于工頻高壓下,測(cè)量各種絕緣材料、絕緣套管、電力電纜、電容器、互感器、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗和電容容量。
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